창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXFT80N20Q | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXF(H,K,T)80N20Q | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | HiPerFET™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 28m옴 @ 500mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 4mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 180nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4600pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 360W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-268-3, D³Pak(2리드(lead)+탭), TO-268AA | |
공급 장치 패키지 | TO-268 | |
표준 포장 | 30 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXFT80N20Q | |
관련 링크 | IXFT80, IXFT80N20Q 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
PTVS40VS1UR,115 | TVS DIODE 40VWM 64.5VC SOD123W | PTVS40VS1UR,115.pdf | ||
MBR40H60PT-E3/45 | DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO3P | MBR40H60PT-E3/45.pdf | ||
RT1206BRE07287KL | RES SMD 287K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RT1206BRE07287KL.pdf | ||
RURP1560 ==Fairchild | RURP1560 ==Fairchild ORIGINAL TO-220 | RURP1560 ==Fairchild.pdf | ||
B39192B5148U410 | B39192B5148U410 EPCOS SMD or Through Hole | B39192B5148U410.pdf | ||
003929-9186 | 003929-9186 MOLEX SMD or Through Hole | 003929-9186.pdf | ||
35716-0193 | 35716-0193 MOLEX SMD or Through Hole | 35716-0193.pdf | ||
TNP277PN | TNP277PN POWER DIP | TNP277PN.pdf | ||
12V3.4AH | 12V3.4AH ORIGINAL SMD or Through Hole | 12V3.4AH.pdf | ||
MAX5475EKA | MAX5475EKA MAXIM SOT23-8 | MAX5475EKA.pdf | ||
SN65LVP20DRFR | SN65LVP20DRFR TI SMD or Through Hole | SN65LVP20DRFR.pdf |