창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFT6N100Q | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXF(H,T)6N100Q | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1000V(1kV) | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.9옴 @ 3A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 2.5mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 48nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2200pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 180W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-268-3, D³Pak(2리드(lead)+탭), TO-268AA | |
| 공급 장치 패키지 | TO-268 | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFT6N100Q | |
| 관련 링크 | IXFT6N, IXFT6N100Q 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | FG22C0G2E683JRT06 | 0.068µF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.295" L x 0.177" W(7.50mm x 4.50mm) | FG22C0G2E683JRT06.pdf | |
![]() | VJ0402D200MXAAP | 20pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D200MXAAP.pdf | |
![]() | VJ0603D150GLXAJ | 15pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D150GLXAJ.pdf | |
![]() | CPPC1-A7BR-96.0TS | 96MHz CMOS XO (Standard) Oscillator Through Hole 5V 45mA Enable/Disable | CPPC1-A7BR-96.0TS.pdf | |
![]() | BZX384C6V8-HE3-18 | DIODE ZENER 6.8V 200MW SOD323 | BZX384C6V8-HE3-18.pdf | |
![]() | CRCW12061R60FKEAHP | RES SMD 1.6 OHM 1% 1/2W 1206 | CRCW12061R60FKEAHP.pdf | |
![]() | RNCF0805BKT1K24 | RES SMD 1.24K OHM 0.1% 1/8W 0805 | RNCF0805BKT1K24.pdf | |
![]() | Y1622110R000F9L | RES 110 OHM 8W 1% TO220-2 | Y1622110R000F9L.pdf | |
![]() | 2W200V | 2W200V ST DO-41 | 2W200V.pdf | |
![]() | PLE12XNYF102P | PLE12XNYF102P MARUWA SMD or Through Hole | PLE12XNYF102P.pdf | |
![]() | 9-1393230-5 | 9-1393230-5 TECONNECTIVITY SMD or Through Hole | 9-1393230-5.pdf |