IXYS IXFT52N30Q
IXFT52N30Q 가격 및 조달
가능 수량
8550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 16,617.33333
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 IXFT52N30Q 재고가 있습니다. 우리는 IXYS 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 IXYS 전자 부품 전문. IXFT52N30Q 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. IXFT52N30Q가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- IXFT52N30Q 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IXFT52N30Q 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFT52N30Q | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | ||
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXF(H,K,T)52N30Q | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 300V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 52A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 60m옴 @ 500mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 4mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 150nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5300pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 360W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-268-3, D³Pak(2리드(lead)+탭), TO-268AA | |
| 공급 장치 패키지 | TO-268 | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFT52N30Q | |
| 관련 링크 | IXFT52, IXFT52N30Q 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
IXFT52N30Q 의 관련 제품
 | 6000-560K-RC | 56µH Unshielded Wirewound Inductor 1.48A 180 mOhm Max Radial | 6000-560K-RC.pdf | |
 | LTH-309-08 | PHOTOINTERRUPTER SWITCH PTR SLOT | LTH-309-08.pdf | |
| MC76382-3.3PKFT | MC76382-3.3PKFT AMC SOT89 | MC76382-3.3PKFT.pdf | |
| SMC-1000Z | SMC-1000Z FUJ DIP40 | SMC-1000Z.pdf | |
| EL2333H-L062A | EL2333H-L062A N/A DIP-24 | EL2333H-L062A.pdf | |
| PBY160808T-201Y-N | PBY160808T-201Y-N ORIGINAL SMD or Through Hole | PBY160808T-201Y-N.pdf | |
| 225T9035-CT | 225T9035-CT AVX SMD or Through Hole | 225T9035-CT.pdf | |
| 1745-5 | 1745-5 ORIGINAL DIP | 1745-5.pdf | |
| DDZX5V1BTR | DDZX5V1BTR DIO SMD or Through Hole | DDZX5V1BTR.pdf | |
| FS8S0765C | FS8S0765C FAI 220-5P | FS8S0765C.pdf |