창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXFT52N30Q | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | ||
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXF(H,K,T)52N30Q | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | HiPerFET™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 300V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 52A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 60m옴 @ 500mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 4mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 150nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5300pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 360W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-268-3, D³Pak(2리드(lead)+탭), TO-268AA | |
공급 장치 패키지 | TO-268 | |
표준 포장 | 30 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXFT52N30Q | |
관련 링크 | IXFT52, IXFT52N30Q 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
GRT32ER61A226KE01L | 22µF 10V 세라믹 커패시터 X5R 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | GRT32ER61A226KE01L.pdf | ||
MKP383175063JD02G0 | 750pF Film Capacitor 220V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.492" L x 0.158" W (12.50mm x 4.00mm) | MKP383175063JD02G0.pdf | ||
SCMS5D20-151 | 150µH Shielded Inductor 460mA 1.65 Ohm Max Nonstandard | SCMS5D20-151.pdf | ||
ESB105M050AC3AA | ESB105M050AC3AA ARCOTRNI SMD or Through Hole | ESB105M050AC3AA.pdf | ||
BA5050 | BA5050 BEC DIP24 | BA5050.pdf | ||
B88069X8740B502 | B88069X8740B502 EPCOS DIP | B88069X8740B502.pdf | ||
100A1R5CP150XR | 100A1R5CP150XR ORIGINAL SMD or Through Hole | 100A1R5CP150XR.pdf | ||
S9013 SOT23 | S9013 SOT23 ORIGINAL SOT23 | S9013 SOT23.pdf | ||
LFSCM3GA25EP1-6F900CES | LFSCM3GA25EP1-6F900CES NULL NULL | LFSCM3GA25EP1-6F900CES.pdf | ||
BZV55-B4V3 (4.3V) | BZV55-B4V3 (4.3V) NXP LL-34 | BZV55-B4V3 (4.3V).pdf | ||
2DGL80/3 | 2DGL80/3 ORIGINAL 400 30 90 | 2DGL80/3.pdf | ||
DF14A-7P-1.25H(55) | DF14A-7P-1.25H(55) HRS SMD or Through Hole | DF14A-7P-1.25H(55).pdf |