창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFT50N85XHV | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXFx50N85X | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 850V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 105 m옴 @ 500mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5.5V @ 4mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 152nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4480pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 890W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-268-3, D³Pak(2리드(lead)+탭), TO-268AA | |
| 공급 장치 패키지 | TO-268 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFT50N85XHV | |
| 관련 링크 | IXFT50N, IXFT50N85XHV 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | RR02J20KTB | RES 20.0K OHM 2W 5% AXIAL | RR02J20KTB.pdf | |
![]() | CMF55825R00DHEB | RES 825 OHM 1/2W .5% AXIAL | CMF55825R00DHEB.pdf | |
![]() | CPCC0762R00KE66 | RES 62 OHM 7W 10% RADIAL | CPCC0762R00KE66.pdf | |
![]() | F110901B | F110901B C BGA | F110901B.pdf | |
![]() | AT270 | AT270 MOT CAN | AT270.pdf | |
![]() | BR93LC76RF | BR93LC76RF BOHM SMD or Through Hole | BR93LC76RF.pdf | |
![]() | CD40818CM | CD40818CM FAIRCHILD SOP-14 | CD40818CM.pdf | |
![]() | UPC2742BGT-E1 | UPC2742BGT-E1 NEC SSOP48 | UPC2742BGT-E1.pdf | |
![]() | L1A613 4057659-400 | L1A613 4057659-400 LSILOGIG LCC64 | L1A613 4057659-400.pdf | |
![]() | PLC-0520-8R2S | PLC-0520-8R2S NEC SMD | PLC-0520-8R2S.pdf | |
![]() | IRF9Z34NSTRR | IRF9Z34NSTRR ORIGINAL SMD or Through Hole | IRF9Z34NSTRR.pdf | |
![]() | KA3506+ | KA3506+ SAMSUNG DIP | KA3506+.pdf |