창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXFT44N50Q3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXFx44N50Q3 | |
주요제품 | Q3-Class HiPerFET™ Power MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | HiPerFET™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 44A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 140m옴 @ 22A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 6.5V @ 4mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 93nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4800pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 830W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-268-3, D³Pak(2리드(lead)+탭), TO-268AA | |
공급 장치 패키지 | TO-268 | |
표준 포장 | 30 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXFT44N50Q3 | |
관련 링크 | IXFT44, IXFT44N50Q3 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
MLF2012E6R8M | 6.8µH Shielded Multilayer Inductor 15mA 650 mOhm Max 0805 (2012 Metric) | MLF2012E6R8M.pdf | ||
TPS79430 | TPS79430 TI SOT223-5 | TPS79430.pdf | ||
UP6275AQDD | UP6275AQDD UPI WQFN16 | UP6275AQDD.pdf | ||
CN0402V275RFGK2(B72592V727/V60 V15) | CN0402V275RFGK2(B72592V727/V60 V15) ORIGINAL SMD or Through Hole | CN0402V275RFGK2(B72592V727/V60 V15).pdf | ||
2SC633SP-7 | 2SC633SP-7 SONY TO-92 | 2SC633SP-7.pdf | ||
CMF-4S2012F-201 | CMF-4S2012F-201 TAIWAN 0805-201 | CMF-4S2012F-201.pdf | ||
TGA2925-SG | TGA2925-SG TRIQUINT xx | TGA2925-SG.pdf | ||
873B | 873B ORIGINAL DIPSMD | 873B.pdf | ||
MAX174BMJI | MAX174BMJI MAX CDIP | MAX174BMJI.pdf | ||
MB89255BPF | MB89255BPF FUJITTSU SOP | MB89255BPF.pdf | ||
019N20F | 019N20F KHB TO-220 | 019N20F.pdf | ||
CD470UF/16V-8*9 | CD470UF/16V-8*9 SD DIP | CD470UF/16V-8*9.pdf |