창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXFT44N50Q3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXFx44N50Q3 | |
주요제품 | Q3-Class HiPerFET™ Power MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | HiPerFET™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 44A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 140m옴 @ 22A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 6.5V @ 4mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 93nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4800pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 830W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-268-3, D³Pak(2리드(lead)+탭), TO-268AA | |
공급 장치 패키지 | TO-268 | |
표준 포장 | 30 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXFT44N50Q3 | |
관련 링크 | IXFT44, IXFT44N50Q3 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
![]() | CKCL22C0G1H220K085AL | 22pF Isolated Capacitor 2 Array 50V C0G, NP0 0805 (2012 Metric) 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) | CKCL22C0G1H220K085AL.pdf | |
![]() | 416F406X3CAR | 40.61MHz ±15ppm 수정 10pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F406X3CAR.pdf | |
![]() | 1F60A-140R | 1F60A-140R FUJI SMD or Through Hole | 1F60A-140R.pdf | |
![]() | R15A-12J | R15A-12J N/A SMD or Through Hole | R15A-12J.pdf | |
![]() | 10YXB4700MDELY-16X25 | 10YXB4700MDELY-16X25 RUBYCON DIP | 10YXB4700MDELY-16X25.pdf | |
![]() | ME50151V3-A99 | ME50151V3-A99 SUNON SMD or Through Hole | ME50151V3-A99.pdf | |
![]() | SC025M0010A5F-0407 | SC025M0010A5F-0407 YAGEO DIP | SC025M0010A5F-0407.pdf | |
![]() | SSG08X-1G,2R800 | SSG08X-1G,2R800 EPCOS 8 6 | SSG08X-1G,2R800.pdf | |
![]() | IXTM6N80 | IXTM6N80 IXYS TO-3 | IXTM6N80.pdf | |
![]() | UPD93145GF | UPD93145GF NEC QFP | UPD93145GF.pdf | |
![]() | RC6432F182CS | RC6432F182CS SAMSUN SMD | RC6432F182CS.pdf | |
![]() | PB3960 | PB3960 PBL DIP | PB3960.pdf |