창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXFT44N50P | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXF(H,K,T)44N50P | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | HiPerFET™, PolarHT™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 44A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 140m옴 @ 22A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 4mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 98nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5440pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 658W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-268-3, D³Pak(2리드(lead)+탭), TO-268AA | |
공급 장치 패키지 | TO-268 | |
표준 포장 | 30 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXFT44N50P | |
관련 링크 | IXFT44, IXFT44N50P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
![]() | 416F36012ILT | 36MHz ±10ppm 수정 12pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F36012ILT.pdf | |
![]() | SIR870ADP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8 | SIR870ADP-T1-GE3.pdf | |
![]() | ERO-S2PHF1542 | RES 15.4K OHM 1/4W 1% AXIAL | ERO-S2PHF1542.pdf | |
![]() | 66F040-0121 | THERMOSTAT 40 DEG NO 8-DIP | 66F040-0121.pdf | |
![]() | BA12003 | BA12003 ROHM DIP-16 | BA12003.pdf | |
![]() | SY8022L | SY8022L SILERGY 2K5PKG | SY8022L.pdf | |
![]() | PAXI TEL:82766440 | PAXI TEL:82766440 TI SOT23-5 | PAXI TEL:82766440.pdf | |
![]() | EG-2102CA125.00000 | EG-2102CA125.00000 EPSON SMD | EG-2102CA125.00000.pdf | |
![]() | 2SA1179-7-TB | 2SA1179-7-TB SANYO SOT23 | 2SA1179-7-TB.pdf | |
![]() | MLB20-600-RC | MLB20-600-RC ALLIED NA | MLB20-600-RC.pdf | |
![]() | 2ZUS24N12E | 2ZUS24N12E MR SIP7 | 2ZUS24N12E.pdf | |
![]() | MT28F008B3-10 | MT28F008B3-10 MT SMD or Through Hole | MT28F008B3-10.pdf |