창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXFT40N85XHV | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXFT40N85XHV, IXFH40N85X | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | HiPerFET™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 신제품 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 850V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 40A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 145m옴 @ 500mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5.5V @ 4mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 98nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3700pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 860W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-268-3, D³Pak(2리드(lead)+탭), TO-268AA | |
공급 장치 패키지 | TO-268 | |
표준 포장 | 30 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXFT40N85XHV | |
관련 링크 | IXFT40N, IXFT40N85XHV 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
![]() | C1206C473J3RACTU | 0.047µF 25V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | C1206C473J3RACTU.pdf | |
![]() | DDZ12ASF-7 | DIODE ZENER 11.42V 500MW SOD323F | DDZ12ASF-7.pdf | |
![]() | CRCW02015K10FKED | RES SMD 5.1K OHM 1% 1/20W 0201 | CRCW02015K10FKED.pdf | |
![]() | ERJ-S1TF2152U | RES SMD 21.5K OHM 1% 1W 2512 | ERJ-S1TF2152U.pdf | |
![]() | NOMCT16031001AT1 | RES ARRAY 8 RES 1K OHM 16SOIC | NOMCT16031001AT1.pdf | |
![]() | CMF604K7000GKEA | RES 4.7K OHM 1W 2% AXIAL | CMF604K7000GKEA.pdf | |
![]() | ELC16B100L | ELC16B100L ORIGINAL SMD or Through Hole | ELC16B100L.pdf | |
![]() | 830152-01 MAGM2 MGS1.2 | 830152-01 MAGM2 MGS1.2 ORIGINAL SOP | 830152-01 MAGM2 MGS1.2.pdf | |
![]() | IMT2 T108 | IMT2 T108 ROHM SMD or Through Hole | IMT2 T108.pdf | |
![]() | GRM1884C2DR75CY21B | GRM1884C2DR75CY21B MURATA SMD or Through Hole | GRM1884C2DR75CY21B.pdf | |
![]() | MSL9359RS | MSL9359RS OKI DIP | MSL9359RS.pdf | |
![]() | SI7135DN | SI7135DN SI QFN1212-8 | SI7135DN.pdf |