창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFT400N075T2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXFx400N075T2 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 400A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.3m옴 @ 100A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 420nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 24000pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1000W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-268-3, D³Pak(2리드(lead)+탭), TO-268AA | |
| 공급 장치 패키지 | TO-268 | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFT400N075T2 | |
| 관련 링크 | IXFT400, IXFT400N075T2 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | MKP383382063JFP2B0 | 0.082µF Film Capacitor 220V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.335" W (17.50mm x 8.50mm) | MKP383382063JFP2B0.pdf | |
![]() | 2256-821K | 820nH Unshielded Molded Inductor 5.6A 12 mOhm Max Axial | 2256-821K.pdf | |
![]() | PE-68389 | PE-68389 DIP PULSE | PE-68389.pdf | |
![]() | TC1044EPA | TC1044EPA MIC DIP8 | TC1044EPA.pdf | |
![]() | SLM-13VWFT97 | SLM-13VWFT97 ROHM SOT-23 | SLM-13VWFT97.pdf | |
![]() | 2010 5% 120R | 2010 5% 120R SUPEROHM SMD or Through Hole | 2010 5% 120R.pdf | |
![]() | 15H78 | 15H78 ORIGINAL QFN | 15H78.pdf | |
![]() | B32537B1154K000 | B32537B1154K000 EPCOS SMD or Through Hole | B32537B1154K000.pdf | |
![]() | JDV2S08STPH3F | JDV2S08STPH3F Toshiba SMD or Through Hole | JDV2S08STPH3F.pdf | |
![]() | TC74HC02APF | TC74HC02APF TOS SMD or Through Hole | TC74HC02APF.pdf | |
![]() | AD5532ABC-3REEL | AD5532ABC-3REEL AD SMD or Through Hole | AD5532ABC-3REEL.pdf | |
![]() | ROS-2750+ | ROS-2750+ Mini-circuits SMD or Through Hole | ROS-2750+.pdf |