창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFT26N60Q | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXF(H,T)26N60Q | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 26A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 250m옴 @ 13A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 4mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 200nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5100pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 360W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-268-3, D³Pak(2리드(lead)+탭), TO-268AA | |
| 공급 장치 패키지 | TO-268 | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFT26N60Q | |
| 관련 링크 | IXFT26, IXFT26N60Q 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | SIT8208AI-G2-18E-48.000000Y | OSC XO 1.8V 48MHZ OE | SIT8208AI-G2-18E-48.000000Y.pdf | |
![]() | 54S134FM | 54S134FM NSC Call | 54S134FM.pdf | |
![]() | IL431IP | IL431IP ORIGINAL DIP | IL431IP.pdf | |
![]() | 0603CT-5N6XGLW | 0603CT-5N6XGLW Coilcraft NA | 0603CT-5N6XGLW.pdf | |
![]() | BT2323 | BT2323 BT SOP28 | BT2323.pdf | |
![]() | 10T/143 | 10T/143 MOT SOT-143 | 10T/143.pdf | |
![]() | G5A-237P24V | G5A-237P24V ORIGINAL SMD or Through Hole | G5A-237P24V.pdf | |
![]() | EL5251IYZ | EL5251IYZ Intersil MSOP | EL5251IYZ.pdf | |
![]() | 68779-112H | 68779-112H FCI SMD or Through Hole | 68779-112H.pdf | |
![]() | PS2651L1-A | PS2651L1-A NEC SMD or Through Hole | PS2651L1-A.pdf | |
![]() | SCDS5D18T-100T-B-N | SCDS5D18T-100T-B-N YAGEO SMD | SCDS5D18T-100T-B-N.pdf |