창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFT26N60P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXF(H,T,V)26N60P/PS | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | PolarHV™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 26A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 270m옴 @ 500mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 4mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 72nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4150pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 460W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-268-3, D³Pak(2리드(lead)+탭), TO-268AA | |
| 공급 장치 패키지 | TO-268 | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFT26N60P | |
| 관련 링크 | IXFT26, IXFT26N60P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
| .jpg) | SR1206FR-0747RL | RES SMD 47 OHM 1% 1/4W 1206 | SR1206FR-0747RL.pdf | |
|  | 2SC2341 | 2SC2341 HG SMD or Through Hole | 2SC2341.pdf | |
|  | S5G5127A01-DO | S5G5127A01-DO ORIGINAL DIP-40 | S5G5127A01-DO.pdf | |
|  | 25CE4R7FS | 25CE4R7FS SANYO SMD or Through Hole | 25CE4R7FS.pdf | |
|  | RB081L | RB081L ROHM 1808 | RB081L.pdf | |
|  | 39288080 | 39288080 Molex SMD or Through Hole | 39288080.pdf | |
|  | UNR-3.3-10 | UNR-3.3-10 DATEL XX | UNR-3.3-10.pdf | |
|  | MURF460 | MURF460 ORIGINAL SMD or Through Hole | MURF460.pdf | |
|  | NDD506A | NDD506A FAIRCHIL TO-263 | NDD506A.pdf | |
|  | MIC2592-2BTQ | MIC2592-2BTQ MIC TQFP-48L | MIC2592-2BTQ.pdf | |
|  | PMB2407FV11GEG | PMB2407FV11GEG sie SMD or Through Hole | PMB2407FV11GEG.pdf |