창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFT26N60P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXF(H,T,V)26N60P/PS | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | PolarHV™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 26A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 270m옴 @ 500mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 4mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 72nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4150pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 460W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-268-3, D³Pak(2리드(lead)+탭), TO-268AA | |
| 공급 장치 패키지 | TO-268 | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFT26N60P | |
| 관련 링크 | IXFT26, IXFT26N60P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | 3.2*32mm | 3.2*32mm ORIGINAL SMD or Through Hole | 3.2*32mm.pdf | |
![]() | TAE1204 | TAE1204 PHIL SMD-8 | TAE1204.pdf | |
![]() | UCC27221PWP | UCC27221PWP TI SMD or Through Hole | UCC27221PWP.pdf | |
![]() | MT18MT05 | MT18MT05 TOSHIBA SMD or Through Hole | MT18MT05.pdf | |
![]() | AQG2 2212E01 1 | AQG2 2212E01 1 NAIS SMD or Through Hole | AQG2 2212E01 1.pdf | |
![]() | SL12917 | SL12917 NS DIP8 | SL12917.pdf | |
![]() | BR3361X | BR3361X STANLEY SMD | BR3361X.pdf | |
![]() | PDM41258S20D | PDM41258S20D PARADIGM CDIP24 | PDM41258S20D.pdf | |
![]() | CXC5X120000CHVRN00 | CXC5X120000CHVRN00 Partron SMD or Through Hole | CXC5X120000CHVRN00.pdf |