창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFT26N60P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXF(H,T,V)26N60P/PS | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | PolarHV™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 26A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 270m옴 @ 500mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 4mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 72nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4150pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 460W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-268-3, D³Pak(2리드(lead)+탭), TO-268AA | |
| 공급 장치 패키지 | TO-268 | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFT26N60P | |
| 관련 링크 | IXFT26, IXFT26N60P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
|  | SMBG5367B/TR13 | DIODE ZENER 43V 5W SMBG | SMBG5367B/TR13.pdf | |
|  | RCWE201082L0FKEA | RES SMD 0.082 OHM 1% 1W 2010 | RCWE201082L0FKEA.pdf | |
|  | CRCW0402160RJNEE | RES SMD 160 OHM 5% 1/16W 0402 | CRCW0402160RJNEE.pdf | |
|  | Y00893K09000TR1R | RES 3.09K OHM 0.6W 0.01% RADIAL | Y00893K09000TR1R.pdf | |
|  | ST72361J9T6 | ST72361J9T6 ST LQFP44 | ST72361J9T6.pdf | |
|  | XC3195APQ208CKG | XC3195APQ208CKG XILINX QFP | XC3195APQ208CKG.pdf | |
|  | 25v470uf 8*12 | 25v470uf 8*12 huang SMD or Through Hole | 25v470uf 8*12.pdf | |
|  | 2SC3194Y | 2SC3194Y KEC TO-92 | 2SC3194Y.pdf | |
|  | WL2W226M12025BB180 | WL2W226M12025BB180 SAMWHA SMD or Through Hole | WL2W226M12025BB180.pdf | |
|  | WM91215BL | WM91215BL UMC DIP | WM91215BL.pdf | |
|  | Q2008NH4 | Q2008NH4 ORIGINAL TO-263 | Q2008NH4.pdf | |
|  | A6644CAT | A6644CAT ALLEGRO DIP | A6644CAT.pdf |