창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXFT26N50 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXFx2xN50 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | HiPerFET™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 26A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 200m옴 @ 13A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 4mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 160nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4200pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 300W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-268-3, D³Pak(2리드(lead)+탭), TO-268AA | |
공급 장치 패키지 | TO-268 | |
표준 포장 | 30 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXFT26N50 | |
관련 링크 | IXFT2, IXFT26N50 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
![]() | GI756-E3/73 | DIODE GEN PURP 600V 6A P600 | GI756-E3/73.pdf | |
![]() | RMCF0805FT2K70 | RES SMD 2.7K OHM 1% 1/8W 0805 | RMCF0805FT2K70.pdf | |
![]() | AF1210FR-074K3L | RES SMD 4.3K OHM 1% 1/2W 1210 | AF1210FR-074K3L.pdf | |
![]() | PT4544 | PT4544 HG SMD or Through Hole | PT4544.pdf | |
![]() | SS1C686M6L007 | SS1C686M6L007 samwha DIP-2 | SS1C686M6L007.pdf | |
![]() | 4290W | 4290W CITEC SMD or Through Hole | 4290W.pdf | |
![]() | TC203G707B | TC203G707B Microchip BGA | TC203G707B.pdf | |
![]() | LA8637 | LA8637 SANYO SOP36 | LA8637.pdf | |
![]() | LA3046 | LA3046 SANY DIP14 | LA3046.pdf | |
![]() | 3310P-001-503L | 3310P-001-503L bourns DIP | 3310P-001-503L.pdf | |
![]() | CY27H0512-35WMB | CY27H0512-35WMB CYPRESS DIP | CY27H0512-35WMB.pdf | |
![]() | 4.7UF25VA | 4.7UF25VA KEMET/AVX SMD or Through Hole | 4.7UF25VA.pdf |