창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFT120N15P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXF(H,T)120N15P | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | PolarHT™ HiPerFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 16m옴 @ 500mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 4mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 150nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4900pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 600W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-268-3, D³Pak(2리드(lead)+탭), TO-268AA | |
| 공급 장치 패키지 | TO-268 | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFT120N15P | |
| 관련 링크 | IXFT12, IXFT120N15P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | B43540C9227M | 220µF 400V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 280 mOhm @ 100Hz 10000 Hrs @ 85°C | B43540C9227M.pdf | |
![]() | WSLP08059L000FEK18 | RES SMD 0.009 OHM 1% 1W 0805 | WSLP08059L000FEK18.pdf | |
![]() | FW82443ZX-SL33W | FW82443ZX-SL33W INTEL BGA | FW82443ZX-SL33W.pdf | |
![]() | PBHR00375-5% | PBHR00375-5% lsabellenhutte TO-247-2P | PBHR00375-5%.pdf | |
![]() | MD7536H | MD7536H JICHI 8SOP | MD7536H.pdf | |
![]() | IRFH8318TR2PBF | IRFH8318TR2PBF IR SMD or Through Hole | IRFH8318TR2PBF.pdf | |
![]() | BU-61588P3-190/BU-61588P3-120 | BU-61588P3-190/BU-61588P3-120 ORIGINAL SMD or Through Hole | BU-61588P3-190/BU-61588P3-120.pdf | |
![]() | M30876MJB-A55GP | M30876MJB-A55GP RENESAS TQFP10 | M30876MJB-A55GP.pdf | |
![]() | 324BFABU | 324BFABU ORIGINAL TSSOP10 | 324BFABU.pdf | |
![]() | NTB33N10T4 | NTB33N10T4 ONS D2PAK | NTB33N10T4.pdf | |
![]() | GP250-180 | GP250-180 ORIGINAL SMD or Through Hole | GP250-180.pdf | |
![]() | UPD23C6404ALGY-573-M | UPD23C6404ALGY-573-M NEC QFP | UPD23C6404ALGY-573-M.pdf |