창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFR90N30 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXFR90N30 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 300V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 75A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 33m옴 @ 45A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 4mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 360nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 10000pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 417W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | ISOPLUS247™ | |
| 공급 장치 패키지 | ISOPLUS247™ | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFR90N30 | |
| 관련 링크 | IXFR9, IXFR90N30 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | FXO-HC535-45.7867 | 45.7867MHz HCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 35mA Enable/Disable | FXO-HC535-45.7867.pdf | |
![]() | HCPT1309-3R3-R | 3.31µH Unshielded Wirewound Inductor 11.4A 4.8 mOhm Radial | HCPT1309-3R3-R.pdf | |
![]() | CP00035R000JB14 | RES 5 OHM 3W 5% AXIAL | CP00035R000JB14.pdf | |
![]() | ICS9LPRS919HKL | ICS9LPRS919HKL ICS QFN | ICS9LPRS919HKL.pdf | |
![]() | 3728-4002 | 3728-4002 ORIGINAL SMD or Through Hole | 3728-4002.pdf | |
![]() | IC-3144 | IC-3144 ORIGINAL SMD or Through Hole | IC-3144.pdf | |
![]() | AP1086T25L | AP1086T25L Diodes TO-220-3 | AP1086T25L.pdf | |
![]() | A7D-2M-1 | A7D-2M-1 Omron SMD or Through Hole | A7D-2M-1.pdf | |
![]() | MI-AWW-MU | MI-AWW-MU VICOR SMD or Through Hole | MI-AWW-MU.pdf | |
![]() | D25B16.8960NNS | D25B16.8960NNS HOSONIC DIPOSC | D25B16.8960NNS.pdf | |
![]() | CDBC450CX55-TC | CDBC450CX55-TC MURATA SMD | CDBC450CX55-TC.pdf | |
![]() | SD5812NFC110 | SD5812NFC110 HUAWEI BGA | SD5812NFC110.pdf |