창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXFR34N80 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | ||
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXFR34N80 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | HiPerFET™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 28A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 240m옴 @ 17A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 8mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 270nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7500pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 416W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | ISOPLUS247™ | |
공급 장치 패키지 | ISOPLUS247™ | |
표준 포장 | 30 | |
다른 이름 | Q1149424 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXFR34N80 | |
관련 링크 | IXFR3, IXFR34N80 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
![]() | VJ1812Y183JBLAT4X | 0.018µF 630V 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.183" L x 0.126" W(4.65mm x 3.20mm) | VJ1812Y183JBLAT4X.pdf | |
![]() | IPD05N03LA******** | IPD05N03LA******** INF SOT252 | IPD05N03LA********.pdf | |
![]() | RS15H113C001 | RS15H113C001 ALPS SMD or Through Hole | RS15H113C001.pdf | |
![]() | HDH-1205M | HDH-1205M ORIGINAL SMD or Through Hole | HDH-1205M.pdf | |
![]() | 42R3731504150 | 42R3731504150 MPEGARRY Call | 42R3731504150.pdf | |
![]() | CD14538BF3A/5962-9055701EA | CD14538BF3A/5962-9055701EA TI CDIP | CD14538BF3A/5962-9055701EA.pdf | |
![]() | 2N7002KT/R | 2N7002KT/R PANJIT SOT-23 | 2N7002KT/R.pdf | |
![]() | P1P3210-R | P1P3210-R PHILIPS SMD or Through Hole | P1P3210-R.pdf | |
![]() | PIC16C55804/SO | PIC16C55804/SO ORIGINAL SMD or Through Hole | PIC16C55804/SO.pdf | |
![]() | MAX4698EUB | MAX4698EUB MAX MSOP10 | MAX4698EUB.pdf |