창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXFR26N100P | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXFR26N100P | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | HiPerFET™, PolarP2™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1000V(1kV) | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 15A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 430m옴 @ 13A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 6.5V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 197nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 11900pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 290W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | ISOPLUS247™ | |
공급 장치 패키지 | ISOPLUS247™ | |
표준 포장 | 30 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXFR26N100P | |
관련 링크 | IXFR26, IXFR26N100P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
![]() | C3216C0G2A562K085AA | 5600pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | C3216C0G2A562K085AA.pdf | |
![]() | VJ1808A510KBLAT4X | 51pF 630V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1808(4520 미터법) 0.186" L x 0.080" W(4.72mm x 2.03mm) | VJ1808A510KBLAT4X.pdf | |
![]() | 200AWMSP1T2A1M61RE | 200AWMSP1T2A1M61RE AMP/TYCO SMD or Through Hole | 200AWMSP1T2A1M61RE.pdf | |
![]() | LS541 G4 | LS541 G4 TI SOP20 7.2MM | LS541 G4.pdf | |
![]() | 38214000000-100A(2 | 38214000000-100A(2 WICKMANN DIP | 38214000000-100A(2.pdf | |
![]() | MAXAAAI | MAXAAAI MAXIM MSOP8 | MAXAAAI.pdf | |
![]() | HEDM-5121 | HEDM-5121 AVAGO SMD or Through Hole | HEDM-5121.pdf | |
![]() | 2SC4657-Y | 2SC4657-Y UTG TO-252 | 2SC4657-Y.pdf | |
![]() | LMK03002ISQ/NOPB | LMK03002ISQ/NOPB NSC Onlyoriginal | LMK03002ISQ/NOPB.pdf | |
![]() | TGSP-RF02NS8 | TGSP-RF02NS8 HALO RJ45 | TGSP-RF02NS8.pdf | |
![]() | H11AY2A | H11AY2A MOT SMD or Through Hole | H11AY2A.pdf |