창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXFR15N100Q3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXFR15N100Q3 | |
주요제품 | Q3-Class HiPerFET™ Power MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | HiPerFET™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1000V(1kV) | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.2옴 @ 7.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 6.5V @ 4mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 64nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3250pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 400W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | ISOPLUS247™ | |
표준 포장 | 30 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXFR15N100Q3 | |
관련 링크 | IXFR15N, IXFR15N100Q3 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
D103Z29Z5UH63J5R | 10000pF 100V 세라믹 커패시터 Z5U 방사형, 디스크 0.295" Dia(7.50mm) | D103Z29Z5UH63J5R.pdf | ||
F1778422K2IBT0 | 0.22µF Film Capacitor 310V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.024" L x 0.236" W (26.00mm x 6.00mm) | F1778422K2IBT0.pdf | ||
ELL-VFG100MC | 10µH Shielded Wirewound Inductor 640mA 380 mOhm Nonstandard | ELL-VFG100MC.pdf | ||
MST7A08D16DMFC-553 | MST7A08D16DMFC-553 ATO BGA | MST7A08D16DMFC-553.pdf | ||
CDE-9P(05) | CDE-9P(05) HIROSE SMD or Through Hole | CDE-9P(05).pdf | ||
DG202BDQ-T1-E3 | DG202BDQ-T1-E3 VISHAY SMD or Through Hole | DG202BDQ-T1-E3.pdf | ||
TCA215C. | TCA215C. INFINEON SOP-8 | TCA215C..pdf | ||
SBR300-16G | SBR300-16G SANYO TO-220 | SBR300-16G.pdf | ||
UC300198 | UC300198 ICS SSOP | UC300198.pdf | ||
R4140670 | R4140670 Powerex DO-5 | R4140670.pdf | ||
b.ehapr8147 | b.ehapr8147 ranasonic SMD or Through Hole | b.ehapr8147.pdf |