창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXFR12N120P | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
표준 포장 | 30 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1200V(1.2kV) | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | - | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | - | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | - | |
작동 온도 | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | ISOPLUS247™ | |
공급 장치 패키지 | ISOPLUS247™ | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXFR12N120P | |
관련 링크 | IXFR12, IXFR12N120P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
MAL219887121E3 | 120µF 450V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In - 3 Lead 796 mOhm @ 100Hz 15000 Hrs @ 85°C | MAL219887121E3.pdf | ||
ZMY9V1-GS18 | DIODE ZENER 9.1V 1W DO213AB | ZMY9V1-GS18.pdf | ||
SDA-70543-0003 | SDA-70543-0003 MOLEX SMD or Through Hole | SDA-70543-0003.pdf | ||
LQH32MN221K21L | LQH32MN221K21L MURATA SMD or Through Hole | LQH32MN221K21L.pdf | ||
6200LE-N-B2 | 6200LE-N-B2 ORIGINAL SMD or Through Hole | 6200LE-N-B2.pdf | ||
63VXG8200M35X45 | 63VXG8200M35X45 RUBYCON DIP | 63VXG8200M35X45.pdf | ||
RD1J226M05011PA159 | RD1J226M05011PA159 SAMWHA Call | RD1J226M05011PA159.pdf | ||
CAT702 (103090-00203) | CAT702 (103090-00203) N/A DIP-20 | CAT702 (103090-00203).pdf | ||
XC18V04 VQ144 | XC18V04 VQ144 XILINX QFP | XC18V04 VQ144.pdf | ||
nFORCE pro 2200 NPB | nFORCE pro 2200 NPB NVIDIA BGA | nFORCE pro 2200 NPB.pdf | ||
PC317C-T(PC317CT) | PC317C-T(PC317CT) SHARP SOP | PC317C-T(PC317CT).pdf | ||
219243-3 | 219243-3 TEConnectivity SMD or Through Hole | 219243-3.pdf |