창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFR12N100Q | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXFR12N100Q, IXFR10N100Q | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1000V(1kV) | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.1옴 @ 6A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5.5V @ 4mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 90nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2900pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 250W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | ISOPLUS247™ | |
| 공급 장치 패키지 | ISOPLUS247™ | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFR12N100Q | |
| 관련 링크 | IXFR12, IXFR12N100Q 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | ASDMB-100.000MHZ-LY-T | 100MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8 V ~ 3.3 V 16mA Standby (Power Down) | ASDMB-100.000MHZ-LY-T.pdf | |
![]() | ERA-2AEB3242X | RES SMD 32.4KOHM 0.1% 1/16W 0402 | ERA-2AEB3242X.pdf | |
![]() | CPR101K200KE10 | RES 1.2K OHM 10W 10% RADIAL | CPR101K200KE10.pdf | |
![]() | 55081023400 | 55081023400 SUMIDA 0805(2012)5508 | 55081023400.pdf | |
![]() | LF LK 2125 1R5K-T | LF LK 2125 1R5K-T TAIYO SMD or Through Hole | LF LK 2125 1R5K-T.pdf | |
![]() | S8D | S8D MCC DO-214AB | S8D.pdf | |
![]() | A1960Q | A1960Q SONY QFP | A1960Q.pdf | |
![]() | M88PG817EB1-NAM1-T | M88PG817EB1-NAM1-T MARVELL SMD or Through Hole | M88PG817EB1-NAM1-T.pdf | |
![]() | OPT-TEL-ORION | OPT-TEL-ORION N/Y SOP28W | OPT-TEL-ORION.pdf | |
![]() | CL10B473ZBND | CL10B473ZBND ORIGINAL SMD or Through Hole | CL10B473ZBND.pdf | |
![]() | MCP2515T-E/SO | MCP2515T-E/SO Microchip SOIC-18-TR | MCP2515T-E/SO.pdf | |
![]() | HVD131KRF-E | HVD131KRF-E RENESAS SMD | HVD131KRF-E.pdf |