창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFR120N20 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | ||
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXDR120N20 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 105A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 17m옴 @ 60A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 8mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 360nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9100pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 417W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | ISOPLUS247™ | |
| 공급 장치 패키지 | ISOPLUS247™ | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFR120N20 | |
| 관련 링크 | IXFR12, IXFR120N20 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | K681M10X7RH5TH5 | 680pF 100V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.142" L x 0.091" W(3.60mm x 2.30mm) | K681M10X7RH5TH5.pdf | |
![]() | 445C23C25M00000 | 25MHz ±20ppm 수정 16pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445C23C25M00000.pdf | |
![]() | CMF55154K00FHBF | RES 154K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF55154K00FHBF.pdf | |
![]() | AGXD466EEXDOBO | AGXD466EEXDOBO AMD BGA | AGXD466EEXDOBO.pdf | |
![]() | OC7001P | OC7001P OSCON DIP-16 | OC7001P.pdf | |
![]() | HC2V277M35025 | HC2V277M35025 samwha DIP-2 | HC2V277M35025.pdf | |
![]() | RT8207BQW | RT8207BQW RICHTEK QFN | RT8207BQW.pdf | |
![]() | ME3220-332MXC | ME3220-332MXC Coilcraft SMD or Through Hole | ME3220-332MXC.pdf | |
![]() | EMP7032AETC44-10 | EMP7032AETC44-10 EMP QFP | EMP7032AETC44-10.pdf | |
![]() | IDT7203L15P | IDT7203L15P IDT DIP28 | IDT7203L15P.pdf | |
![]() | MAX4227ESA+ | MAX4227ESA+ MAXIM 8-SOIC | MAX4227ESA+.pdf | |
![]() | 7A04H-1R8M | 7A04H-1R8M SAGAMI 7A04H | 7A04H-1R8M.pdf |