창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFR120N20 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | ||
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXDR120N20 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 105A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 17m옴 @ 60A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 8mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 360nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9100pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 417W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | ISOPLUS247™ | |
| 공급 장치 패키지 | ISOPLUS247™ | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFR120N20 | |
| 관련 링크 | IXFR12, IXFR120N20 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | MDQ-V-10 | FUSE GLASS 10A 32VAC 3AB 3AG | MDQ-V-10.pdf | |
![]() | RC2012J3R6CS | RES SMD 3.6 OHM 5% 1/8W 0805 | RC2012J3R6CS.pdf | |
![]() | Y145316K0000T0L | RES 16K OHM 0.6W 0.01% RADIAL | Y145316K0000T0L.pdf | |
![]() | 49.7664M | 49.7664M EPSON DIP4 | 49.7664M.pdf | |
![]() | IP-J61-CX | IP-J61-CX IP SMD or Through Hole | IP-J61-CX.pdf | |
![]() | MX7545KN/JN | MX7545KN/JN MAXIM dip16 | MX7545KN/JN.pdf | |
![]() | 150/163 | 150/163 SANYO SOT-163 | 150/163.pdf | |
![]() | 5KP220A-E3/54 | 5KP220A-E3/54 VISHAY P-600 | 5KP220A-E3/54.pdf | |
![]() | ACT501 | ACT501 N/A SMD or Through Hole | ACT501.pdf | |
![]() | K4S640832C-TL70 | K4S640832C-TL70 SAMSUNG TSOP | K4S640832C-TL70.pdf | |
![]() | TRJ67203NL | TRJ67203NL TRC RJ45 | TRJ67203NL.pdf | |
![]() | ispLSI5256VE 100LT128-80I | ispLSI5256VE 100LT128-80I Lattice BGA | ispLSI5256VE 100LT128-80I.pdf |