창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXFR102N30P | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXFR102N30P | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | PolarHT™ HiPerFET™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 300V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 60A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 36m옴 @ 51A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 4mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 224nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7500pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 250W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | ISOPLUS247™ | |
공급 장치 패키지 | ISOPLUS247™ | |
표준 포장 | 30 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXFR102N30P | |
관련 링크 | IXFR10, IXFR102N30P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
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![]() | 06035A3R9BAT2A | 3.9pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 06035A3R9BAT2A.pdf | |
![]() | 9220-16-RC | 560µH Unshielded Wirewound Inductor 91mA 12.3 Ohm Max Axial | 9220-16-RC.pdf | |
![]() | 3*8 | 3*8 ORIGINAL SMD or Through Hole | 3*8.pdf | |
![]() | JAN1N4467 | JAN1N4467 ORIGINAL SMD or Through Hole | JAN1N4467.pdf | |
![]() | 2A1069 V1.1 | 2A1069 V1.1 HARRIS DIP | 2A1069 V1.1.pdf | |
![]() | M50727-472FP | M50727-472FP MIT SOP | M50727-472FP.pdf | |
![]() | 7B34-02-1 | 7B34-02-1 AD SMD or Through Hole | 7B34-02-1.pdf | |
![]() | GLT4400860J4 | GLT4400860J4 GLINK SMD or Through Hole | GLT4400860J4.pdf | |
![]() | K5G5629ATD-SF75 | K5G5629ATD-SF75 SEC BGA | K5G5629ATD-SF75.pdf | |
![]() | XC6VSX475T-3FFG1156I | XC6VSX475T-3FFG1156I XILINX BGA | XC6VSX475T-3FFG1156I.pdf | |
![]() | HGTP2N120CN | HGTP2N120CN FSC TO220 | HGTP2N120CN.pdf |