창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFQ50N60P3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXFH-FT-FQ50N60P3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™, Polar3™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 145m옴 @ 500mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 4mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 94nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6300pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1040W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-3P | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFQ50N60P3 | |
| 관련 링크 | IXFQ50, IXFQ50N60P3 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | GBFM | GBFM ORIGINAL SMD or Through Hole | GBFM.pdf | |
![]() | SPCA550A-RB121 | SPCA550A-RB121 SUNPLVS BGA | SPCA550A-RB121.pdf | |
![]() | 113735-HMC524LC3B | 113735-HMC524LC3B HITTITE SMD or Through Hole | 113735-HMC524LC3B.pdf | |
![]() | ERX3SJ1R8H | ERX3SJ1R8H N/A SMD or Through Hole | ERX3SJ1R8H.pdf | |
![]() | PTH08T230WAZT | PTH08T230WAZT ORIGINAL SMD or Through Hole | PTH08T230WAZT.pdf | |
![]() | RMPA1950 | RMPA1950 RAYTHEON SMD or Through Hole | RMPA1950.pdf | |
![]() | BU4240F | BU4240F ROHM SMD or Through Hole | BU4240F.pdf | |
![]() | 89C54RD+40C-PLCC | 89C54RD+40C-PLCC STC PLCC44 | 89C54RD+40C-PLCC.pdf | |
![]() | 3124456 | 3124456 MURR SMD or Through Hole | 3124456.pdf | |
![]() | BZX79-B5V6,143 | BZX79-B5V6,143 NXP original | BZX79-B5V6,143.pdf | |
![]() | PXA250AO | PXA250AO INTEL BGA | PXA250AO.pdf |