창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFQ28N60P3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXFQ-FH28N60P3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™, Polar3™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 28A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 260m옴 @ 14A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 2.5mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 50nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3560pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 695W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-3P | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFQ28N60P3 | |
| 관련 링크 | IXFQ28, IXFQ28N60P3 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
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![]() | 22255C105MAT2A | 1µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 2225(5763 미터법) 0.225" L x 0.250" W(5.72mm x 6.35mm) | 22255C105MAT2A.pdf | |
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![]() | RCWE2512R169FKEA | RES SMD 0.169 OHM 1% 2W 2512 | RCWE2512R169FKEA.pdf | |
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![]() | EBG819P-1504-BQ80 | EBG819P-1504-BQ80 ORIGINAL 4P | EBG819P-1504-BQ80.pdf | |
![]() | 2SA1162/SG | 2SA1162/SG TOSHIBA SOT-23 | 2SA1162/SG.pdf | |
![]() | 111SM1-T | 111SM1-T HoneywellSensingandControl SMD or Through Hole | 111SM1-T.pdf | |
![]() | UPD70F3102AGJ-33-8EU | UPD70F3102AGJ-33-8EU NEC SMD | UPD70F3102AGJ-33-8EU.pdf | |
![]() | RC2010JR-072M2L 2010 2.2M | RC2010JR-072M2L 2010 2.2M ORIGINAL SMD or Through Hole | RC2010JR-072M2L 2010 2.2M.pdf | |
![]() | HYB39S16160CT6 | HYB39S16160CT6 hynix SMD or Through Hole | HYB39S16160CT6.pdf |