창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFQ28N60P3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXFQ-FH28N60P3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™, Polar3™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 28A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 260m옴 @ 14A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 2.5mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 50nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3560pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 695W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-3P | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFQ28N60P3 | |
| 관련 링크 | IXFQ28, IXFQ28N60P3 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | 02301.25DRT3W | FUSE GLASS 1.25A 250VAC 2AG | 02301.25DRT3W.pdf | |
![]() | TJT25022RJ | RES CHAS MNT 22 OHM 5% 250W | TJT25022RJ.pdf | |
![]() | RC1218JK-071KL | RES SMD 1K OHM 1W 1812 WIDE | RC1218JK-071KL.pdf | |
![]() | RCP0603B75R0JS6 | RES SMD 75 OHM 5% 3.9W 0603 | RCP0603B75R0JS6.pdf | |
![]() | HAAC | HAAC ORIGINAL TDFN12 | HAAC.pdf | |
![]() | 5P800D23S-BWT6B/Eden ESP 8000 | 5P800D23S-BWT6B/Eden ESP 8000 VIA SMD or Through Hole | 5P800D23S-BWT6B/Eden ESP 8000.pdf | |
![]() | MB90F523B | MB90F523B FUJITSU QFP | MB90F523B.pdf | |
![]() | 18LF2480-I/ML | 18LF2480-I/ML ORIGINAL SMD or Through Hole | 18LF2480-I/ML.pdf | |
![]() | BS50002 | BS50002 ORIGINAL SMD or Through Hole | BS50002.pdf | |
![]() | ERA6AEB622V | ERA6AEB622V PanasonicIndustrial SMD or Through Hole | ERA6AEB622V.pdf |