창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFQ20N50P3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXFx20N50P3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™, Polar3™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 300m옴 @ 10A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 1.5mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 36nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1800pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 380W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-3P | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFQ20N50P3 | |
| 관련 링크 | IXFQ20, IXFQ20N50P3 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | 445I35L27M00000 | 27MHz ±30ppm 수정 12pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445I35L27M00000.pdf | |
![]() | 1904045-4 | V23333Z0002A041-EV-000 | 1904045-4.pdf | |
![]() | 20FKZ-RSM1-GB-1-TB(L | 20FKZ-RSM1-GB-1-TB(L FPC PCS | 20FKZ-RSM1-GB-1-TB(L.pdf | |
![]() | PL-P004-1W | PL-P004-1W ORIGINAL SMD or Through Hole | PL-P004-1W.pdf | |
![]() | 88SE6121B2-NAA1 | 88SE6121B2-NAA1 MARVELL QFN | 88SE6121B2-NAA1.pdf | |
![]() | LN2266PA4MR | LN2266PA4MR LN SOT-23-6L | LN2266PA4MR.pdf | |
![]() | UCD7230PWP | UCD7230PWP TexasInstruments SMD or Through Hole | UCD7230PWP.pdf | |
![]() | IRFY044C | IRFY044C ORIGINAL SMD or Through Hole | IRFY044C.pdf | |
![]() | 600-GPY-8 | 600-GPY-8 FUJI SOT23 | 600-GPY-8.pdf | |
![]() | QP20TD-9B | QP20TD-9B MIT SMD or Through Hole | QP20TD-9B.pdf | |
![]() | LX1991LQ-TR | LX1991LQ-TR MSC QFN | LX1991LQ-TR.pdf | |
![]() | BTB16-1000CWRG | BTB16-1000CWRG ST TO-220 | BTB16-1000CWRG.pdf |