창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXFQ12N80P | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXF(H,Q,V)12N80P/PS | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | HiPerFET™, PolarHT™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 850m옴 @ 500mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5.5V @ 2.5mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 51nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2800pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 360W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-3P | |
표준 포장 | 30 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXFQ12N80P | |
관련 링크 | IXFQ12, IXFQ12N80P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
![]() | VJ1812A561JBLAT4X | 560pF 630V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.183" L x 0.126" W(4.65mm x 3.20mm) | VJ1812A561JBLAT4X.pdf | |
![]() | MLG0603S10NHTD25 | 10nH Unshielded Multilayer Inductor 200mA 800 mOhm Max 0201 (0603 Metric) | MLG0603S10NHTD25.pdf | |
![]() | MB86931 | MB86931 FUJ QFP | MB86931.pdf | |
![]() | SS8550D 1.5A | SS8550D 1.5A ORIGINAL TO-92 | SS8550D 1.5A.pdf | |
![]() | 1N5955 | 1N5955 SUNMATE DO-41 | 1N5955.pdf | |
![]() | MPZ1608Y151BT | MPZ1608Y151BT TDK SMD or Through Hole | MPZ1608Y151BT.pdf | |
![]() | TC94A09F-102 | TC94A09F-102 TOSHBIA QFP | TC94A09F-102.pdf | |
![]() | 23F0246 | 23F0246 Fox con | 23F0246.pdf | |
![]() | FAN505M | FAN505M FSC SOP-247.2 | FAN505M.pdf | |
![]() | wjlxt360e a2 | wjlxt360e a2 Cortina qfp | wjlxt360e a2.pdf | |
![]() | 0491001.PAR | 0491001.PAR LITTELFUSE DIP | 0491001.PAR.pdf | |
![]() | SPU21N05L | SPU21N05L SIEMENS TO-251 | SPU21N05L.pdf |