창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXFP6N120P | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXF(A,P,H)6N120P | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | HiPerFET™, PolarP2™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1200V(1.2kV) | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.4옴 @ 500mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 92nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2830pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 250W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXFP6N120P | |
관련 링크 | IXFP6N, IXFP6N120P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
![]() | 7B-15.360MBBK-T | 15.36MHz ±50ppm 수정 20pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 7B-15.360MBBK-T.pdf | |
![]() | IXTQ170N10P | MOSFET N-CH 100V 170A TO-3P | IXTQ170N10P.pdf | |
![]() | 108R-153H | 15µH Unshielded Inductor 79mA 4.2 Ohm Max 2-SMD | 108R-153H.pdf | |
![]() | NSZD5JB270R | RES CERAMIC 270 OHM 5W 5% WW | NSZD5JB270R.pdf | |
![]() | DJ-AE | DJ-AE ORIGINAL QFN | DJ-AE.pdf | |
![]() | RFS-25V100MF3 | RFS-25V100MF3 ELNA SMD or Through Hole | RFS-25V100MF3.pdf | |
![]() | BLM18HG601SN1 | BLM18HG601SN1 MURATA SMD or Through Hole | BLM18HG601SN1.pdf | |
![]() | 122M3KKV | 122M3KKV ORIGINAL SMD or Through Hole | 122M3KKV.pdf | |
![]() | 74LVC00AD,118 | 74LVC00AD,118 NXP SMD or Through Hole | 74LVC00AD,118.pdf | |
![]() | SA5778D/CE1804,518 | SA5778D/CE1804,518 NXP SMD or Through Hole | SA5778D/CE1804,518.pdf | |
![]() | 150QC15 | 150QC15 TOS NO | 150QC15.pdf | |
![]() | 344107-1 | 344107-1 TYCO SMD or Through Hole | 344107-1.pdf |