창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFP3N80 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXF(A,P)3N80 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.6A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.6옴 @ 500mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 24nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 685pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 100W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFP3N80 | |
| 관련 링크 | IXFP, IXFP3N80 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | 7-1415534-8 | RELAY GEN PURP | 7-1415534-8.pdf | |
![]() | LM567AD/LM567CN | LM567AD/LM567CN ORIGINAL DIP-8 | LM567AD/LM567CN.pdf | |
![]() | BA2192F | BA2192F ROHM SOP-8 | BA2192F.pdf | |
![]() | DSR-06 | DSR-06 ORIGINAL SMD or Through Hole | DSR-06.pdf | |
![]() | 6CE220FH | 6CE220FH SANYO SMD | 6CE220FH.pdf | |
![]() | D8361 | D8361 ORIGINAL DIP | D8361.pdf | |
![]() | LC420W02 | LC420W02 LG SMD or Through Hole | LC420W02.pdf | |
![]() | 3431IFE | 3431IFE LINEAR SMD or Through Hole | 3431IFE.pdf | |
![]() | MC75125P | MC75125P MOT DIP-16 | MC75125P.pdf | |
![]() | D65956N7E | D65956N7E NEC BGA | D65956N7E.pdf | |
![]() | N35P101-00001-H | N35P101-00001-H AMS SMD or Through Hole | N35P101-00001-H.pdf |