창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXFP3N120 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXF(A,P)3N120 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | HiPerFET™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1200V(1.2kV) | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.5옴 @ 500mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 1.5mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 39nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1050pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 200W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXFP3N120 | |
관련 링크 | IXFP3, IXFP3N120 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
![]() | SQCB7M200JA7ME | 20pF 500V 세라믹 커패시터 M 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | SQCB7M200JA7ME.pdf | |
![]() | Y006215K2000V9L | RES 15.2K OHM 0.6W 0.005% RADIAL | Y006215K2000V9L.pdf | |
![]() | CRT0603-BY-1002-ELF | CRT0603-BY-1002-ELF BOURNS SMD | CRT0603-BY-1002-ELF.pdf | |
![]() | BZX55C100V | BZX55C100V ST SMD or Through Hole | BZX55C100V.pdf | |
![]() | CM32Y5V105Z25AT | CM32Y5V105Z25AT KYOCERA SMD or Through Hole | CM32Y5V105Z25AT.pdf | |
![]() | 29DL640E-90PFTN | 29DL640E-90PFTN FUJITSU TSSOP | 29DL640E-90PFTN.pdf | |
![]() | SN74AHCT32DRG | SN74AHCT32DRG TI SOP | SN74AHCT32DRG.pdf | |
![]() | UL1482 | UL1482 SIEMENS DIP14 | UL1482.pdf | |
![]() | 103976-9 | 103976-9 TYCO con | 103976-9.pdf | |
![]() | PC3SD11YTZ | PC3SD11YTZ SHARP DIP-5 | PC3SD11YTZ.pdf |