창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXFN90N85X | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXFN90N85X | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | HiPerFET™ | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 신제품 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 850V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 90A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 41m옴 @ 500mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5.5V @ 8mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 340nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 13300pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1200W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
공급 장치 패키지 | SOT-227B | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXFN90N85X | |
관련 링크 | IXFN90, IXFN90N85X 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
![]() | FD7770004 | 77.76MHz CMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 2.5V 35mA Enable/Disable | FD7770004.pdf | |
![]() | RT1206DRE07107KL | RES SMD 107K OHM 0.5% 1/4W 1206 | RT1206DRE07107KL.pdf | |
![]() | D8286D | D8286D INTEL DIP | D8286D.pdf | |
![]() | 74ALVC245D | 74ALVC245D PHI SMD or Through Hole | 74ALVC245D.pdf | |
![]() | 103 1KV | 103 1KV tdk SMD or Through Hole | 103 1KV.pdf | |
![]() | MMSZ4693-V-GS18 | MMSZ4693-V-GS18 VISHAY SMD or Through Hole | MMSZ4693-V-GS18.pdf | |
![]() | MMX-E 1J 154KT | MMX-E 1J 154KT Hitachi 5 5MM | MMX-E 1J 154KT.pdf | |
![]() | XC6209F282DRN | XC6209F282DRN TOREX QFN | XC6209F282DRN.pdf | |
![]() | SAFEF2G01AA0F00R14 | SAFEF2G01AA0F00R14 IC IC | SAFEF2G01AA0F00R14.pdf | |
![]() | QML2E183KSFA | QML2E183KSFA NICHICON DIP | QML2E183KSFA.pdf | |
![]() | R470C470 | R470C470 SWTF SOP | R470C470.pdf | |
![]() | S1DB-E3 | S1DB-E3 VISHAY DO-214AA | S1DB-E3.pdf |