창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFN73N30 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | ||
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXF(K,N)73N30 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 300V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 73A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 45m옴 @ 500mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 8mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 360nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9000pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 520W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-227B | |
| 표준 포장 | 10 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFN73N30 | |
| 관련 링크 | IXFN7, IXFN73N30 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | MMJT350T1G | TRANS PNP 300V 0.5A SOT-223 | MMJT350T1G.pdf | |
![]() | BUK7C3R8-80EJ | MOSFET N-CH 80V 186A D2PAK-7 | BUK7C3R8-80EJ.pdf | |
![]() | PA3316U3ETC | PA3316U3ETC TOSHIBA SMD or Through Hole | PA3316U3ETC.pdf | |
![]() | HY5DS283222BFP-28 | HY5DS283222BFP-28 HY BGA | HY5DS283222BFP-28.pdf | |
![]() | BH7211 | BH7211 ORIGINAL DIP | BH7211.pdf | |
![]() | BYP102 | BYP102 ST TO-3P | BYP102.pdf | |
![]() | MIC5256-3.3YM5 TEL:82766440 | MIC5256-3.3YM5 TEL:82766440 MIC SMD or Through Hole | MIC5256-3.3YM5 TEL:82766440.pdf | |
![]() | LM26400Y | LM26400Y GMT SOT223 | LM26400Y.pdf | |
![]() | UPD27C64C-25 | UPD27C64C-25 NEC DIP28P | UPD27C64C-25.pdf | |
![]() | SL311D | SL311D SYSTE sop8 | SL311D.pdf | |
![]() | MBM101494 | MBM101494 FUJI SMD or Through Hole | MBM101494.pdf |