창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXFN64N60P | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXFN64N60P | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | PolarHV™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 96m옴 @ 500mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 8mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 200nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 12000pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 700W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
공급 장치 패키지 | SOT-227B | |
표준 포장 | 10 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXFN64N60P | |
관련 링크 | IXFN64, IXFN64N60P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
![]() | MXO45-3C-64M0000 | 64MHz HCMOS, TTL XO (Standard) Oscillator Through Hole 5V 60mA | MXO45-3C-64M0000.pdf | |
![]() | 2SC5646A-TL-H | TRANS NPN BIPO 30MA 4V SSFP | 2SC5646A-TL-H.pdf | |
![]() | RE1206FRE0716K9L | RES SMD 16.9K OHM 1% 1/4W 1206 | RE1206FRE0716K9L.pdf | |
![]() | 606.04AG10/1 | 606.04AG10/1 ELMOS SOP24 | 606.04AG10/1.pdf | |
![]() | ICE-160 4805D-10 | ICE-160 4805D-10 INCHANG DIP | ICE-160 4805D-10.pdf | |
![]() | TMC0JE107MLRM | TMC0JE107MLRM KOA CAP | TMC0JE107MLRM.pdf | |
![]() | 1SS372 TEL:82766440 | 1SS372 TEL:82766440 TOSHIBA SMD or Through Hole | 1SS372 TEL:82766440.pdf | |
![]() | LP2951-33DRGR | LP2951-33DRGR ORIGINAL SMD or Through Hole | LP2951-33DRGR.pdf | |
![]() | GGRM39B682K50 | GGRM39B682K50 MURATA SMD or Through Hole | GGRM39B682K50.pdf | |
![]() | am1s-1212sh30z | am1s-1212sh30z aim SMD or Through Hole | am1s-1212sh30z.pdf | |
![]() | W29C020T9001 | W29C020T9001 MEMORY SMD | W29C020T9001.pdf | |
![]() | TVP221-E0182 | TVP221-E0182 LSI 14-DIP | TVP221-E0182.pdf |