창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFN64N50P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXFN64N50P | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | PolarHV™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 61A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 85m옴 @ 32A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5.5V @ 8mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 150nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 8700pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 700W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-227B | |
| 표준 포장 | 10 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFN64N50P | |
| 관련 링크 | IXFN64, IXFN64N50P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | MKP385227160JD02W0 | 2700pF Film Capacitor 550V 1600V (1.6kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.492" L x 0.158" W (12.50mm x 4.00mm) | MKP385227160JD02W0.pdf | |
![]() | B32676G8106K | 10µF Film Capacitor 875V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.654" L x 1.300" W (42.00mm x 33.00mm) | B32676G8106K.pdf | |
![]() | 8951160000 | Solid State Relay SPST-NO (1 Form A) Module | 8951160000.pdf | |
![]() | R7W200DR | R7W200DR BOURNS SMD or Through Hole | R7W200DR.pdf | |
![]() | M6MGK137S8AWG-H B0NC | M6MGK137S8AWG-H B0NC RENESAS BGA | M6MGK137S8AWG-H B0NC.pdf | |
![]() | D70F3049 | D70F3049 NEC QFP | D70F3049.pdf | |
![]() | EI428871J | EI428871J AKI SOP8 | EI428871J.pdf | |
![]() | SC251BX245 | SC251BX245 ORIGINAL SMD or Through Hole | SC251BX245.pdf | |
![]() | TC2014-2.5VCTTR. | TC2014-2.5VCTTR. MICROCHIP SOT23-5 | TC2014-2.5VCTTR..pdf | |
![]() | A040FL01V2 | A040FL01V2 AUO SMD or Through Hole | A040FL01V2.pdf | |
![]() | CSC06A-01-472G | CSC06A-01-472G VISHAY/DALE SMD or Through Hole | CSC06A-01-472G.pdf |