창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFN48N50Q | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXFN(44,48)N50Q | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 48A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 100m옴 @ 500mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 4mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 190nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7000pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 500W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-227B | |
| 표준 포장 | 10 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFN48N50Q | |
| 관련 링크 | IXFN48, IXFN48N50Q 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
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![]() | 416F38435ASR | 38.4MHz ±30ppm 수정 시리즈 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F38435ASR.pdf | |
![]() | D2864DMB | D2864DMB INTEL DIP28 | D2864DMB.pdf | |
![]() | S29JL032H90BAI320 | S29JL032H90BAI320 SPANSION BGA | S29JL032H90BAI320.pdf | |
![]() | TLP181G(GB GR) | TLP181G(GB GR) TOSHIBA SOP4 | TLP181G(GB GR).pdf | |
![]() | MCM51L4256AJ70 | MCM51L4256AJ70 MC SOJ | MCM51L4256AJ70.pdf | |
![]() | AD8510ARZ-REEL7 (LF) | AD8510ARZ-REEL7 (LF) ADI SMD or Through Hole | AD8510ARZ-REEL7 (LF).pdf | |
![]() | 75915-408 | 75915-408 BERG SMD or Through Hole | 75915-408.pdf | |
![]() | SMAJ28CA-NL | SMAJ28CA-NL FAIRCHILD DO-214AC | SMAJ28CA-NL.pdf | |
![]() | RC0805JR-077R5L 0805 7.5R | RC0805JR-077R5L 0805 7.5R ORIGINAL SMD or Through Hole | RC0805JR-077R5L 0805 7.5R.pdf |