창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFN44N80Q3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXFN44N80Q3 | |
| 주요제품 | Q3-Class HiPerFET™ Power MOSFETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 37A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 190m옴 @ 22A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 6.5V @ 8mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 185nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9840pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 780W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-227B | |
| 표준 포장 | 10 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFN44N80Q3 | |
| 관련 링크 | IXFN44, IXFN44N80Q3 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | CMF6012R100FKRE | RES 12.1 OHM 1W 1% AXIAL | CMF6012R100FKRE.pdf | |
![]() | H4P2K26DCA | RES 2.26K OHM 1W 0.5% AXIAL | H4P2K26DCA.pdf | |
![]() | MK120-1.5K-1% | MK120-1.5K-1% CADDOCK SMD or Through Hole | MK120-1.5K-1%.pdf | |
![]() | M4LV64327VC | M4LV64327VC VANTIS SMD or Through Hole | M4LV64327VC.pdf | |
![]() | RB520S-30 GJTE61 | RB520S-30 GJTE61 ROHM DIODE0404-001 | RB520S-30 GJTE61.pdf | |
![]() | BAS21(A82) | BAS21(A82) ITT SOT23 | BAS21(A82).pdf | |
![]() | ACF321825-330-TL | ACF321825-330-TL TDK SMD or Through Hole | ACF321825-330-TL.pdf | |
![]() | ADP2127ACNZ1.260R7 | ADP2127ACNZ1.260R7 ADI SMD or Through Hole | ADP2127ACNZ1.260R7.pdf | |
![]() | 64643-1 | 64643-1 AMP con | 64643-1.pdf | |
![]() | LT1204D | LT1204D MAGCOM DIP | LT1204D.pdf | |
![]() | BAF-C515C-LM | BAF-C515C-LM ORIGINAL QFP | BAF-C515C-LM.pdf | |
![]() | ECA1JHG331 | ECA1JHG331 PANASONIC DIP | ECA1JHG331.pdf |