창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFN44N100Q3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXFN44N100Q3 | |
| 주요제품 | Q3-Class HiPerFET™ Power MOSFETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1000V(1kV) | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 38A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 220m옴 @ 22A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 6.5V @ 8mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 264nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 13600pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 960W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-227B | |
| 표준 포장 | 10 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFN44N100Q3 | |
| 관련 링크 | IXFN44N, IXFN44N100Q3 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | 416F37411ADT | 37.4MHz ±10ppm 수정 18pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F37411ADT.pdf | |
![]() | RG1005N-2372-W-T5 | RES SMD 23.7K OHM 1/16W 0402 | RG1005N-2372-W-T5.pdf | |
| RSMF3JTR300 | RES METAL OX 3W 0.3 OHM 5% AXL | RSMF3JTR300.pdf | ||
![]() | CMF55216R20BEEA | RES 216.2 OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF55216R20BEEA.pdf | |
![]() | LRC-LR2512-01-R250-F | LRC-LR2512-01-R250-F INTERNATIONALRESISTIVECO SMD or Through Hole | LRC-LR2512-01-R250-F.pdf | |
![]() | T1206R105KCT 1206-105K | T1206R105KCT 1206-105K W SMD or Through Hole | T1206R105KCT 1206-105K.pdf | |
![]() | TN05-3T103JT | TN05-3T103JT MITSUBISHI SMD | TN05-3T103JT.pdf | |
![]() | FS88062.7CX | FS88062.7CX FSC/ SOT89 | FS88062.7CX.pdf | |
![]() | DS2780AE-020/T | DS2780AE-020/T MAX TSSOP | DS2780AE-020/T.pdf | |
![]() | LQ121S1LG61 | LQ121S1LG61 ORIGINAL SMD or Through Hole | LQ121S1LG61.pdf | |
![]() | CS1008-R62J-N | CS1008-R62J-N YAGEO SMD | CS1008-R62J-N.pdf | |
![]() | LWT6SG-V1AA-5K8L-0 | LWT6SG-V1AA-5K8L-0 OSRAM PLCC-2 | LWT6SG-V1AA-5K8L-0.pdf |