창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXFN420N10T | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXFN420N10T | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | GigaMOS™ HiPerFET™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 420A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.3m옴 @ 60A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 8mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 670nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 47000pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1070W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
공급 장치 패키지 | SOT-227B | |
표준 포장 | 10 | |
다른 이름 | 623426 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXFN420N10T | |
관련 링크 | IXFN42, IXFN420N10T 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
![]() | KY50VB151M10X12LL | 150µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can 7000 Hrs @ 105°C | KY50VB151M10X12LL.pdf | |
![]() | AB-37.500MEHE-T | 37.5MHz ±10ppm 수정 12pF 60옴 -40°C ~ 85°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | AB-37.500MEHE-T.pdf | |
![]() | MP6-2W-1L-1Q-1Q-00 | MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY | MP6-2W-1L-1Q-1Q-00.pdf | |
![]() | SL2ICS2001DW/V1D | SL2ICS2001DW/V1D NXP UNCASED | SL2ICS2001DW/V1D.pdf | |
![]() | 33383DW | 33383DW ORIGINAL SMD or Through Hole | 33383DW.pdf | |
![]() | GB5RF100-1200-7F | GB5RF100-1200-7F FOXCONN 10P | GB5RF100-1200-7F.pdf | |
![]() | LOPIVA05G12E | LOPIVA05G12E JOINSET VARISTOR | LOPIVA05G12E.pdf | |
![]() | 008283091100000+ | 008283091100000+ ORIGINAL SMD or Through Hole | 008283091100000+.pdf | |
![]() | ADP1873ARMZ-1.0-R7 | ADP1873ARMZ-1.0-R7 ADI SMD or Through Hole | ADP1873ARMZ-1.0-R7.pdf | |
![]() | CSTCE12M0GH5L16-RO | CSTCE12M0GH5L16-RO MURATA SMD or Through Hole | CSTCE12M0GH5L16-RO.pdf | |
![]() | PE-B2203 | PE-B2203 PULSE TRANSFORMER | PE-B2203.pdf | |
![]() | 181515-10 | 181515-10 HUMANETICS SMD or Through Hole | 181515-10.pdf |