창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFN40N90P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXFN40N90P | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | Polar™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 900V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 33A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 210m옴 @ 20A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 6.5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 230nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 14000pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 695W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-227B | |
| 표준 포장 | 10 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFN40N90P | |
| 관련 링크 | IXFN40, IXFN40N90P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
|  | ERB21B5C2E3R9BDX1L | 3.9pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | ERB21B5C2E3R9BDX1L.pdf | |
|  | B32621A6273J289 | 0.027µF Film Capacitor 400V 630V Polypropylene (PP), Metallized - Stacked Radial | B32621A6273J289.pdf | |
|  | 0447003.YP | FUSE BOARD MNT 3A 350VAC 125VDC | 0447003.YP.pdf | |
|  | FN7770021 | 77.76MHz CMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 2.5V 35mA Enable/Disable | FN7770021.pdf | |
|  | 74ALVC164245DGT | 74ALVC164245DGT PHC SMD or Through Hole | 74ALVC164245DGT.pdf | |
|  | MC34C63AL | MC34C63AL UTC SOP | MC34C63AL.pdf | |
|  | C431P2 | C431P2 GES Module | C431P2.pdf | |
|  | 630V 103 | 630V 103 ORIGINAL SMD or Through Hole | 630V 103.pdf | |
|  | HA1-5142-2 | HA1-5142-2 HARRIS CDIP | HA1-5142-2.pdf | |
|  | MC68681FNR2 | MC68681FNR2 MOTOROLA SMD or Through Hole | MC68681FNR2.pdf | |
|  | K4S281632D-L7C | K4S281632D-L7C SAMSUNG TSOP54 | K4S281632D-L7C.pdf |