창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFN38N80Q2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXF(K,N,X)38N80Q2 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 38A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 220m옴 @ 500mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 8mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 190nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 8340pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 735W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-227B | |
| 표준 포장 | 10 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFN38N80Q2 | |
| 관련 링크 | IXFN38, IXFN38N80Q2 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | 2SM155-300 | 2SM155-300 HITACHI SMD or Through Hole | 2SM155-300.pdf | |
![]() | BAT54S/DG,215 | BAT54S/DG,215 PHA SMD or Through Hole | BAT54S/DG,215.pdf | |
![]() | K4S51063LD-TC75 | K4S51063LD-TC75 SAMSUNG TSSOP | K4S51063LD-TC75.pdf | |
![]() | CHB-50P | CHB-50P SENSOR NEW | CHB-50P.pdf | |
![]() | TA5081 | TA5081 TOS SMD or Through Hole | TA5081.pdf | |
![]() | LD1117 T/R | LD1117 T/R UTC SOP8 | LD1117 T/R.pdf | |
![]() | SI-30(877.5MHZ) | SI-30(877.5MHZ) HITACHI SMD or Through Hole | SI-30(877.5MHZ).pdf | |
![]() | BCP51-16115 | BCP51-16115 NXP SMD or Through Hole | BCP51-16115.pdf | |
![]() | CYK128K16MCCBU-70 | CYK128K16MCCBU-70 CYPRESS BGA | CYK128K16MCCBU-70.pdf | |
![]() | CRI1000 | CRI1000 AT SOP24 | CRI1000.pdf | |
![]() | NPIS103T101MTRF | NPIS103T101MTRF NIC SMD | NPIS103T101MTRF.pdf |