IXYS IXFN38N100Q2

IXFN38N100Q2
제조업체 부품 번호
IXFN38N100Q2
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227
데이터 시트 다운로드
다운로드
IXFN38N100Q2 가격 및 조달

가능 수량

9059 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 40,490.46140
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 IXFN38N100Q2 재고가 있습니다. 우리는 IXYS 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 IXYS 전자 부품 전문. IXFN38N100Q2 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. IXFN38N100Q2가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
IXFN38N100Q2 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
IXFN38N100Q2 매개 변수
내부 부품 번호EIS-IXFN38N100Q2
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서IXFN38N100Q2
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체IXYS
계열HiPerFET™
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)1000V(1kV)
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C38A
Rds On(최대) @ Id, Vgs250m옴 @ 19A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)5V @ 8mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs250nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds7200pF @ 25V
전력 - 최대890W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형섀시 실장
패키지/케이스SOT-227-4, miniBLOC
공급 장치 패키지SOT-227B
표준 포장 10
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)IXFN38N100Q2
관련 링크IXFN38N, IXFN38N100Q2 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통
IXFN38N100Q2 의 관련 제품
FUSE BRD MNT 1A 125VAC/VDC AXIAL MQ 1TR.pdf
RES SMD 2.55K OHM 1/16W 0402 RG1005N-2551-W-T1.pdf
RES SMD 680 OHM 0.1% 1/3W 1210 TNPW1210680RBEEA.pdf
RES ARRAY 5 RES 100K OHM 6SIP 4306H-101-104.pdf
LM741H883 NSC BULKTO LM741H883.pdf
LNA4501FV Panasonic SMD or Through Hole LNA4501FV.pdf
CD74HC4094M96 TI SOP16 CD74HC4094M96 .pdf
AMI8800-001 AMI SMD-28 AMI8800-001.pdf
CRW1206 DALE SMD or Through Hole CRW1206.pdf
RHRU7580 Intersil/FSC TO-218 RHRU7580.pdf
CWR8027C-120N SAGAMI SMD CWR8027C-120N.pdf