창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFN26N90 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | ||
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXFN(26,25)N90 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 900V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 26A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 300m옴 @ 13A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 8mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 240nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 10800pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 600W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-227B | |
| 표준 포장 | 10 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFN26N90 | |
| 관련 링크 | IXFN2, IXFN26N90 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0805D301GXXAR | 300pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D301GXXAR.pdf | |
![]() | APT2X30DQ60J | DIODE MODULE 600V 30A ISOTOP | APT2X30DQ60J.pdf | |
![]() | 743C043103JP | RES ARRAY 2 RES 10K OHM 1008 | 743C043103JP.pdf | |
![]() | R1150H013A-T1 | R1150H013A-T1 ORIGINAL SMD or Through Hole | R1150H013A-T1.pdf | |
![]() | 150302 | 150302 ST SOP-16 | 150302.pdf | |
![]() | HSMGC190CATD | HSMGC190CATD AVAGO 4000TRSMD | HSMGC190CATD.pdf | |
![]() | ENGR33 | ENGR33 MOT DIP-16 | ENGR33.pdf | |
![]() | SB610 | SB610 SEP SB-6 | SB610.pdf | |
![]() | MW91315A | MW91315A ORIGINAL SMD or Through Hole | MW91315A.pdf | |
![]() | M391T2863QZ3-CE6 | M391T2863QZ3-CE6 Samsung SMD or Through Hole | M391T2863QZ3-CE6.pdf | |
![]() | RCV288DP | RCV288DP ROCKWELL PLCC | RCV288DP.pdf | |
![]() | STP03-7052LF | STP03-7052LF SAMSUNG QFP | STP03-7052LF.pdf |