창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFN23N100 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXFN(24,23)N100 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1000V(1kV) | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 23A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | - | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 8mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
| 전력 - 최대 | 595W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-227B | |
| 표준 포장 | 10 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFN23N100 | |
| 관련 링크 | IXFN23, IXFN23N100 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | GRM0225C1E1R6BDAEL | 1.6pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 01005(0402 미터법) 0.016" L x 0.008" W(0.40mm x 0.20mm) | GRM0225C1E1R6BDAEL.pdf | |
![]() | MLG0603P24NJT000 | 24nH Unshielded Multilayer Inductor 140mA 2.1 Ohm Max 0201 (0603 Metric) | MLG0603P24NJT000.pdf | |
![]() | AA0402FR-071M07L | RES SMD 1.07M OHM 1% 1/16W 0402 | AA0402FR-071M07L.pdf | |
![]() | 0402-105M | 0402-105M ORIGINAL SMD or Through Hole | 0402-105M.pdf | |
![]() | 6301604-1 -IMP | 6301604-1 -IMP ORIGINAL DIP | 6301604-1 -IMP.pdf | |
![]() | HZ5A3 T/B ST | HZ5A3 T/B ST ST DO-35 | HZ5A3 T/B ST.pdf | |
![]() | FH12-34S-0.5SH27 | FH12-34S-0.5SH27 HRS SMD or Through Hole | FH12-34S-0.5SH27.pdf | |
![]() | C056K100K2X5CA | C056K100K2X5CA KEMET DIP | C056K100K2X5CA.pdf | |
![]() | DF2S12FS(TPL3) | DF2S12FS(TPL3) TOSHIBA fSC2 | DF2S12FS(TPL3).pdf | |
![]() | 59681(126) | 59681(126) ST SOP10 | 59681(126).pdf | |
![]() | ZR345598BGCF | ZR345598BGCF ORIGINAL ROHS | ZR345598BGCF.pdf | |
![]() | NB21J50103KBB | NB21J50103KBB AVX SMD | NB21J50103KBB.pdf |