창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXFN21N100Q | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXFN21N100Q | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | HiPerFET™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1000V(1kV) | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 21A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 500m옴 @ 500mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 4mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 170nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5900pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 520W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
공급 장치 패키지 | SOT-227B | |
표준 포장 | 10 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXFN21N100Q | |
관련 링크 | IXFN21, IXFN21N100Q 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
![]() | NS8ATHE3/45 | DIODE GEN PURP 50V 8A TO220AC | NS8ATHE3/45.pdf | |
![]() | FDU6N25 | MOSFET N-CH 250V 4.4A IPAK-3 | FDU6N25.pdf | |
![]() | FVTS05R2E25R00JE | RES CHAS MNT 25 OHM 5% 5W | FVTS05R2E25R00JE.pdf | |
![]() | 381657-001 | 381657-001 ORIGINAL QFP | 381657-001.pdf | |
![]() | TNPW08051K13BETYR2 | TNPW08051K13BETYR2 VISHAY SMD or Through Hole | TNPW08051K13BETYR2.pdf | |
![]() | S20K140E3K1 | S20K140E3K1 EPCOS DIP | S20K140E3K1.pdf | |
![]() | 1N1920 | 1N1920 IR SMD or Through Hole | 1N1920.pdf | |
![]() | D98501N7 | D98501N7 NEC BGA | D98501N7.pdf | |
![]() | MK27K68FE-1% | MK27K68FE-1% ROED SMD or Through Hole | MK27K68FE-1%.pdf | |
![]() | 9146-26 | 9146-26 SANYO SSOP24 | 9146-26.pdf | |
![]() | TA 14732B 100163AR3416 | TA 14732B 100163AR3416 ORIGINAL SMD or Through Hole | TA 14732B 100163AR3416.pdf | |
![]() | 6480306-01 | 6480306-01 NEC TSSOP30 | 6480306-01.pdf |