창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFN20N120P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXFN20N120P | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | Polar™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1200V(1.2kV) | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 570m옴 @ 10A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 6.5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 193nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 11100pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 595W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-227B | |
| 표준 포장 | 10 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFN20N120P | |
| 관련 링크 | IXFN20, IXFN20N120P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | GRM32RR71H824KA01L | 0.82µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | GRM32RR71H824KA01L.pdf | |
![]() | 4590-186J | 18mH Unshielded Wirewound Inductor 210mA 14.8 Ohm Max Axial | 4590-186J.pdf | |
![]() | MN02MOAJ331 | MN02MOAJ331 ORIGINAL SMD or Through Hole | MN02MOAJ331.pdf | |
![]() | QX5239A | QX5239A QX MSOP-8 | QX5239A.pdf | |
![]() | 43879-9904 | 43879-9904 ORIGINAL SMD or Through Hole | 43879-9904.pdf | |
![]() | AC1501-50P5LA | AC1501-50P5LA AP TO-263 | AC1501-50P5LA.pdf | |
![]() | FIB5N65A | FIB5N65A IR TO-220F | FIB5N65A.pdf | |
![]() | SLP-1-100-307-01 | SLP-1-100-307-01 RIC SMD or Through Hole | SLP-1-100-307-01.pdf | |
![]() | K9HCG08U5M-SCB0 | K9HCG08U5M-SCB0 SAMSUNG SMD or Through Hole | K9HCG08U5M-SCB0.pdf | |
![]() | TDA9100 | TDA9100 ST DIP32 | TDA9100.pdf | |
![]() | UPD6122-001 | UPD6122-001 ORIGINAL SOP8 | UPD6122-001.pdf | |
![]() | 6JD6 | 6JD6 MISC SMD or Through Hole | 6JD6.pdf |