창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXFN200N10P | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXFN200N10P | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | Polar™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 200A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.5m옴 @ 500mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 8mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 235nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7600pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 680W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
공급 장치 패키지 | SOT-227B | |
표준 포장 | 10 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXFN200N10P | |
관련 링크 | IXFN20, IXFN200N10P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
![]() | MAL215857392E3 | 3900µF 40V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In - 3 Lead 77 mOhm @ 100Hz 5000 Hrs @ 105°C | MAL215857392E3.pdf | |
![]() | AFI0204-101KT (EC22-101K-T5) | AFI0204-101KT (EC22-101K-T5) ARLITECH INDUCTOR100uH-10 | AFI0204-101KT (EC22-101K-T5).pdf | |
![]() | MF259/ 10D14 | MF259/ 10D14 D TQFP | MF259/ 10D14.pdf | |
![]() | HT7335-A | HT7335-A HT SOT-89 | HT7335-A.pdf | |
![]() | 714362864 | 714362864 Molex NA | 714362864.pdf | |
![]() | LM120H-15/883QS | LM120H-15/883QS NSC SMD or Through Hole | LM120H-15/883QS.pdf | |
![]() | SG-8002JC 100MHZ | SG-8002JC 100MHZ EPSON SMD-DIP | SG-8002JC 100MHZ.pdf | |
![]() | L64000MC-27M2VD | L64000MC-27M2VD LSI QFP | L64000MC-27M2VD.pdf | |
![]() | 25L102 | 25L102 ORIGINAL SMD or Through Hole | 25L102.pdf | |
![]() | CY8C21434-24LKXIT | CY8C21434-24LKXIT CYPRESS THQFN | CY8C21434-24LKXIT.pdf | |
![]() | R451003 50A125VDC | R451003 50A125VDC LITTELFUSE SMD or Through Hole | R451003 50A125VDC.pdf | |
![]() | N74F367D,602 | N74F367D,602 NXPSemiconductors SOT-109-16 | N74F367D,602.pdf |