IXYS IXFN200N10P
IXFN200N10P 가격 및 조달
가능 수량
8814 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 14,845.51420
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 IXFN200N10P 재고가 있습니다. 우리는 IXYS 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 IXYS 전자 부품 전문. IXFN200N10P 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. IXFN200N10P가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- IXFN200N10P 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IXFN200N10P 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFN200N10P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXFN200N10P | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | Polar™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 200A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.5m옴 @ 500mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 8mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 235nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7600pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 680W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-227B | |
| 표준 포장 | 10 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFN200N10P | |
| 관련 링크 | IXFN20, IXFN200N10P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
IXFN200N10P 의 관련 제품
 | CFR50J220K | RES 220K OHM 1/2W 5% AXIAL | CFR50J220K.pdf | |
| H4P750KDZA | RES 750K OHM 1W 0.5% AXIAL | H4P750KDZA.pdf | |
| TLE5025CE6747HAMA1 | SPEED SENSORS 3SSO | TLE5025CE6747HAMA1.pdf | |
| 15358857 | 15358857 Delphi SMD or Through Hole | 15358857.pdf | |
| M30620FCNFP | M30620FCNFP MITSUBISHI SMD or Through Hole | M30620FCNFP.pdf | |
| GEFORCE GTS150 1GB DDR3 ATX | GEFORCE GTS150 1GB DDR3 ATX NVIDIAGEFORCE SMD or Through Hole | GEFORCE GTS150 1GB DDR3 ATX.pdf | |
| DF9-41S-1V(22) | DF9-41S-1V(22) HRS SMD or Through Hole | DF9-41S-1V(22).pdf | |
| 60EPU-06 | 60EPU-06 IR SMD or Through Hole | 60EPU-06.pdf | |
| MPS331 | MPS331 MIC QFN | MPS331.pdf | |
| BZX84C2V4T/R | BZX84C2V4T/R PANJIT ORIGINAL | BZX84C2V4T/R.pdf | |
| BT137B-800F，118 | BT137B-800F，118 PhilipsSemiconducto NA | BT137B-800F，118.pdf | |
| OEGOJE-SH-112LMH | OEGOJE-SH-112LMH OEG SMD or Through Hole | OEGOJE-SH-112LMH.pdf |