창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXFN200N07 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | ||
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXFN200N06/7 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | HiPerFET™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 70V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 200A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6m옴 @ 500mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 8mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 480nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9000pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 520W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
공급 장치 패키지 | SOT-227B | |
표준 포장 | 10 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXFN200N07 | |
관련 링크 | IXFN20, IXFN200N07 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
![]() | UPW2W470MRD | 47µF 450V Aluminum Capacitors Radial, Can 8000 Hrs @ 105°C | UPW2W470MRD.pdf | |
![]() | GRM188R61E474KA12J | 0.47µF 25V 세라믹 커패시터 X5R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GRM188R61E474KA12J.pdf | |
![]() | T493D106M025BH6410 | T493D106M025BH6410 KEMET D-7343-31 | T493D106M025BH6410.pdf | |
![]() | 1210YG106ZAT2AK | 1210YG106ZAT2AK ORIGINAL SMD or Through Hole | 1210YG106ZAT2AK.pdf | |
![]() | R1LV0408CSP-7L | R1LV0408CSP-7L RENESAS SOP | R1LV0408CSP-7L.pdf | |
![]() | TC74HC07 | TC74HC07 TOS DIP | TC74HC07.pdf | |
![]() | L6918D | L6918D ST SOP28 | L6918D.pdf | |
![]() | RTL8225-VF-LF | RTL8225-VF-LF REALTEK SMD or Through Hole | RTL8225-VF-LF.pdf | |
![]() | 1210 5% 1.1K | 1210 5% 1.1K SUPEROHM SMD or Through Hole | 1210 5% 1.1K.pdf | |
![]() | H3227 | H3227 HAR SOP-16 | H3227.pdf | |
![]() | NESG064T(GU) | NESG064T(GU) NICHIA STOCK | NESG064T(GU).pdf | |
![]() | RN2101(TE85L | RN2101(TE85L TOSHIBA SMD or Through Hole | RN2101(TE85L.pdf |