창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXFN120N65X2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXFN120N65X2 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | HiPerFET™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 108A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 24m옴 @ 54A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5.5V @ 8mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 225nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 15500pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 890W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
공급 장치 패키지 | SOT-227 | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | 632519 IXFN120N65X2X IXFN120N65X2X-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXFN120N65X2 | |
관련 링크 | IXFN120, IXFN120N65X2 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
UTS0J101MDD | 100µF 6.3V Aluminum Capacitors Radial, Can 5000 Hrs @ 105°C | UTS0J101MDD.pdf | ||
L225J50R | RES CHAS MNT 50 OHM 5% 225W | L225J50R.pdf | ||
RT1206CRD07340KL | RES SMD 340K OHM 0.25% 1/4W 1206 | RT1206CRD07340KL.pdf | ||
TNPW1210232RBEEA | RES SMD 232 OHM 0.1% 1/3W 1210 | TNPW1210232RBEEA.pdf | ||
MDA6141C | MDA6141C EVERLIGHT ROHS | MDA6141C.pdf | ||
250V0.22 | 250V0.22 ORIGINAL SMD or Through Hole | 250V0.22.pdf | ||
CMX-309FL2.000MHZ | CMX-309FL2.000MHZ CITIZEN SMD or Through Hole | CMX-309FL2.000MHZ.pdf | ||
DST310H-92B271M250 | DST310H-92B271M250 MURATA SMD or Through Hole | DST310H-92B271M250.pdf | ||
DTA144ESTP | DTA144ESTP ROHM SMD or Through Hole | DTA144ESTP.pdf | ||
SDR8200S8 | SDR8200S8 SSDI DO-8 | SDR8200S8.pdf | ||
RN2107-DTA114YE | RN2107-DTA114YE TOS SOT-423 | RN2107-DTA114YE.pdf | ||
TDA9800T/V2 | TDA9800T/V2 ORIGINAL SOP | TDA9800T/V2.pdf |