창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXFN100N20 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXFK90N20, IXFN(100,106)N20 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | HiPerFET™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 23m옴 @ 500mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 8mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 380nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9000pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 520W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
공급 장치 패키지 | SOT-227B | |
표준 포장 | 10 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXFN100N20 | |
관련 링크 | IXFN10, IXFN100N20 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
![]() | DM200-01-1-9490-0-LC | MOD LASER CML 100GHZ 200KM | DM200-01-1-9490-0-LC.pdf | |
![]() | TC164-FR-075K9L | RES ARRAY 4 RES 5.9K OHM 1206 | TC164-FR-075K9L.pdf | |
CY-192A-P-Y | SENSOR PHOTO PNP 4M 12-24V | CY-192A-P-Y.pdf | ||
![]() | 3266W-1-50K | 3266W-1-50K BOURNS/ SMD or Through Hole | 3266W-1-50K.pdf | |
![]() | VIPEV100SP | VIPEV100SP TI SOP | VIPEV100SP.pdf | |
![]() | NJM072BM-TE1-#ZZZB. | NJM072BM-TE1-#ZZZB. JRC SOP-8 | NJM072BM-TE1-#ZZZB..pdf | |
![]() | M34551M4-091FP | M34551M4-091FP MIT QFP | M34551M4-091FP.pdf | |
![]() | DG-015 | DG-015 ORIGINAL SMD or Through Hole | DG-015.pdf | |
![]() | PTWL3014GQW | PTWL3014GQW PHILIPS SMD or Through Hole | PTWL3014GQW.pdf | |
![]() | HYB18L256160BF-7.5 16Mx16 | HYB18L256160BF-7.5 16Mx16 QIMONDA BGA | HYB18L256160BF-7.5 16Mx16.pdf | |
![]() | G641A-1 | G641A-1 TI TSSOP-20 | G641A-1.pdf | |
![]() | HER108G R0 | HER108G R0 ORIGINAL DIPSOP | HER108G R0.pdf |