창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFL60N80P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXFL60N80P | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™, PolarHT™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 40A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 150m옴 @ 30A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 8mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 250nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 18000pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 625W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | ISOPLUS264™ | |
| 공급 장치 패키지 | ISOPLUS264™ | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFL60N80P | |
| 관련 링크 | IXFL60, IXFL60N80P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | RCP0505B820RJET | RES SMD 820 OHM 5% 5W 0505 | RCP0505B820RJET.pdf | |
![]() | C1005X7R1E223KT000 | C1005X7R1E223KT000 ORIGINAL SMD or Through Hole | C1005X7R1E223KT000.pdf | |
![]() | UNR5112G | UNR5112G PANAsonic SOT-323 | UNR5112G.pdf | |
![]() | CM316X5R106K>A> | CM316X5R106K>A> AVX SMD or Through Hole | CM316X5R106K>A>.pdf | |
![]() | 6.8UF/400V 10*20 | 6.8UF/400V 10*20 Cheng SMD or Through Hole | 6.8UF/400V 10*20.pdf | |
![]() | MGDT-25-J-CE | MGDT-25-J-CE GAIA SMD or Through Hole | MGDT-25-J-CE.pdf | |
![]() | BHS-A52BDRI | BHS-A52BDRI BRIGHT ROHS | BHS-A52BDRI.pdf | |
![]() | 95022W3 | 95022W3 ST SOP-8 | 95022W3.pdf | |
![]() | HT84036-0W | HT84036-0W HOLTEK SMD or Through Hole | HT84036-0W.pdf | |
![]() | RN2408(YI) | RN2408(YI) TOSHIBA SOT23 | RN2408(YI).pdf | |
![]() | RFW488C56V/RFW2441 | RFW488C56V/RFW2441 RF QFN | RFW488C56V/RFW2441.pdf |