창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFL60N60 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXFL60N60 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 60A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 80m옴 @ 30A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 8mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 380nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 10000pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 700W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | ISOPLUS264™ | |
| 공급 장치 패키지 | ISOPLUS264™ | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFL60N60 | |
| 관련 링크 | IXFL6, IXFL60N60 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | LTO050FR0500FTE3 | RES 0.05 OHM 50W 1% TO220 | LTO050FR0500FTE3.pdf | |
![]() | PFR5 821F100J 11L 16,5 TA1(821J 100V) | PFR5 821F100J 11L 16,5 TA1(821J 100V) EVOX RIFA SMD or Through Hole | PFR5 821F100J 11L 16,5 TA1(821J 100V).pdf | |
![]() | SAGEM F6151 | SAGEM F6151 ORIGINAL SMD or Through Hole | SAGEM F6151.pdf | |
![]() | MN120 | MN120 MIT DIP16 | MN120.pdf | |
![]() | ST063ACD | ST063ACD STM SOP-8 | ST063ACD.pdf | |
![]() | 21003758 | 21003758 JDSU SMD or Through Hole | 21003758.pdf | |
![]() | K6T1008C2D-TB70 | K6T1008C2D-TB70 SAMSUNG SMD or Through Hole | K6T1008C2D-TB70.pdf | |
![]() | RE034024 DC24V | RE034024 DC24V TYCO/ SMD or Through Hole | RE034024 DC24V.pdf | |
![]() | RD16U 102J | RD16U 102J AUK NA | RD16U 102J.pdf | |
![]() | TC5116100CSJ60 | TC5116100CSJ60 TOSHIBA SMD or Through Hole | TC5116100CSJ60.pdf | |
![]() | LQH3NR18M34M00 | LQH3NR18M34M00 Murata SMD or Through Hole | LQH3NR18M34M00.pdf |